開催報告_NEDIA通信No.14

第3回NEDIAアクションセミナー開催のご案内

「SiCパワーデバイスの最新動向とその応用」

 

  NEDIA企画委員会では、会員様向けに、タイムリー、かつ役立つ業界情報を提供し、会員様の価値向上を図るべく、アクションセミナーの開催を企画しました。

  第2回に引続き、パワーデバイスに関する企画を継続していく方針で、「第3回NEDIAアクションセミナー」を下記の開催案内の通り、開催することにしました。

ぜひご一読頂き、多くの会員様にご参加頂けることを心よりお待ちしております。

■添付資料:(本紙同文)第3回アクションセミナー案内(20150413).pdf 

      ―――― 開催案内 ――――

1. 開催日時:2015年4月13日(月) 17:00~18:30

2. 開催場所:UTホールディングス株式会社 セミナールーム

住所:東京都品川区東五反田1丁目11番15号 電波ビル4F

マップ http://www.ut-h.co.jp/corporate/map.html

3.セミナーテーマ:「SiCパワーデバイスの最新動向とその応用」

<アブストラクト>

  SiCパワーデバイスはSiの限界を超える新材料デバイスとして期待されている。

 2010年にはMOSFETの実用化も始まっており、市場も徐々に広がりつつある。

 しかし始まったばかりのSiCデバイスは、まだ十分にその実力が発揮できているわけではなく、今後さらなる進化が期待されている。その一つとして、オン抵抗を数分の1に低減できるトレンチ型MOSFETの実用化が間もなく始まる。

 トレンチMOSは性能向上だけではなく、チップ面積縮小による低価格化も期待できる。また、現状ではSiCは従来のSi MOSやSi IGBTの置き換え市場が主流であるが、その低オン抵抗、高速性はこれまでSiでは実現できなかった分野まで応用できる可能性を秘めている。

 今回は、デバイスの進化だけでなくSiCならではの応用についても言及する。

4.講師:ローム株式会社 研究開発部 部長  博士(工学) 中村 孝 様

5.タイムテーブル: 16:30~受付開始

17:00~18:00 セミナー

18:00~質疑応答 (終了は18:30予定)

6.参加費:NEDIA会員 1,000円、 非会員 3,000円

    ご参加の申込みは、4月7日(火)までにメールにて事務局までお願い致します。

    申込みを確認後、事務局より返信いたします。

定員(約40名程)になりましたら、申込みを終了させていただきます。

<事務局連絡先>

E-mail:info@nedia.or.jp  TEL:03-5823-4465  FAX:03-5823-4475